ASDM20N90Q-R دیتاشیت

ASDM20N90Q-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM20N90Q-R
حجم فایل 73.261 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت ASDM20N90Q-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM20N90Q-R
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 40W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 36.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3605pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 90A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.75V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 365pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.5mΩ@10V,30A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه